各区人力资源和社会保障局、工业和信息化局，各委办局（集团公司）、人民团体、大专院校人力资源（职称）部门，各产业人才创新创业联盟，有关单位：

为深入实施人才强市战略，贯彻落实我市“一基地三区”功能定位和制造业立市目标，促进自主创新重要源头和原始创新主要策源地建设，助推信息技术创新应用产业发展，加快集成电路专业人才集聚和培养，根据《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》（国发〔2020〕8号）和市人社局、市工业和信息化局《关于深化工程技术人才职称制度改革的实施意见》（津人社局发〔2019〕39号）精神，结合我市集成电路产业发展实际，市人社局、市工业和信息化局决定在工程技术职称系列中增设集成电路专业。现就有关问题通知如下：

一、评价范围

在本市（含中央和外省市驻津）的企业、事业单位、社会团体、非公经济组织和社会组织中，在职从事集成电路设计、生产、封装、测试、装备、材料等相关岗位工作的专业技术人员，以及从事相关工作的自由职业者，可参加集成电路专业职称评价。

对全面实行岗位管理、专业技术人才学术技术水平与岗位职责密切相关的事业单位，集成电路专业职称应在岗位结构比例内开展职称评审。

二、层级设置

集成电路专业职称设初级、中级和高级，其中，初级职称分设员级和助理级，高级职称分设副高级和正高级。各层级对应的资格名称分别为：技术员、助理工程师，工程师，高级工程师、正高级工程师。

三、评价方式

（一）初级职称（技术员、助理工程师）采取单位聘任方式。用人单位按照本市有关规定，对符合资格条件的人员进行业绩考核合格后，自主聘任其初级职称。

（二）中级职称（工程师）、高级职称（高级工程师、正高级工程师）采取评审方式。职称评审委员会组织评审专家开展评审，经评审通过的人员取得相应职称，由用人单位聘任。

（三）鼓励具备条件的企事业单位，按照《天津市专业技术职称自主评审工作办法（试行）》的有关规定，申请开展集成电路专业职称自主评审，我市产业人才创新创业联盟可申请为盟内企业开展集成电路专业职称联合自主评审。

四、评审机构

（一）市工业和信息化局是工程技术系列集成电路专业职称的专业主管部门，负责组建天津市工程技术系列集成电路专业副高级职称评审委员会，开展副高级和中级职称评审工作，职称评审办事机构设在天津市工业和信息化研究院。按照我市职称评审专家库制度要求，建立不少于33人的评审专家库，由集成电路专业相关领域具有高级职称的专家组成（其中，正高级职称人数不少于总数的1/2），企业技术专家不少于30%（其中，来自民营企业和社会组织的专家不少于企业技术专家人数的1/3）。

（二）正高级职称评审工作，由天津市工程技术系列正高级职称评审委员会负责，职称评审办事机构设在天津市人才考评中心。正高级评审专家库须增加集成电路专业相关领域的正高级职称专家10名以上。

五、评审标准

在天津市工程技术系列职称评价标准基础上，结合集成电路专业实际，大力破除“四唯”，突出创新能力、质量、实效、贡献导向，制定《天津市工程技术系列集成电路专业职称评价标准》（附件）。获准开展职称自主评审的用人单位或产业人才创新创业联盟，可在不低于市级标准基础上，制定自主评审标准。

六、评审程序

集成电路职称专业正高级、副高级、中级的申报评审工作，全程依托“天津市专业技术人员职称管理信息系统”（网址：http://job.hrss.tj.gov.cn/rsrc/tjwb/mainframe/logindg.html，以下简称“职称管理信息系统”）开展，实行“网上申报、网上受理、网上审核、网上评审、网上发证、网上查验”。具体程序如下：

（一）公布安排。根据市人社局当年度职称评审工作总体安排，市工业和信息化局公布集成电路职称专业当年度职称评审工作具体安排。

（二）申报审核。申报人在规定的时限内登录职称管理信息系统，按要求在线填报相关信息、上传佐证材料，经用人单位推荐公示、业务主管部门逐级审核通过后，报送职称评审办事机构。

（三）评审公示。职称评审办事机构登录职称管理信息系统在线审核申报人材料，根据有效申报人数，在线抽取同行评审专家后召开评审会议，评审后对评审通过人员进行公示。

（四）获取证书。公示无异议的，在职称管理信息系统中公布评审结果，并生成电子职称证书，评审通过人员可在线自助下载打印。

七、支持政策

（一）坚持以业绩论英雄的导向。破除“四唯”倾向，着重评价申报人的创新能力、质量、实效和贡献，注重考察人才对产业促进、科技创新、成果转化等方面的实际贡献，实行科学家、企业家举荐制，对行业领军人才可直接推荐正高级职称。

（二）企业对海内外引进人才、急需紧缺人才、优秀青年人才，可根据其业绩水平直接申报相应层级职称。申报人可凭企业自主认定的专利、项目、案例、研究

报告、试制总结、工作方案、设计文件、《业绩证明函》等成果形式替代论文。

（三）企业对博士、博士后或获得助理工程师2年以上的硕士人才可自主聘任为工程师。在民营企业博士后科研工作站、博士后创新实践基地从事科研工作的博士后，获得省部级以上基金资助或作为主要参与人完成省部级以上科研项目，出站后留企业工作的，企业可自主聘任为高级工程师。

（四）符合集成电路职称专业资格条件的高技能人才，可申报相应层级的集成电路专业职称。

（五）已取得其他专业职称的人员，在集成电路专业岗位工作满1年的，可转评同层级集成电路专业职称；符合集成电路专业高一层级职称申报条件的，可直接申报。

（六）非公经济组织人员和自由职业者，可按照《市人社局关于进一步做好民营企业职称工作的通知》（津人社规字〔2020〕4号）有关规定，申报集成电路专业职称。

（七）按照《市人力社保局关于落实京津冀专业技术人员职称资格互认协议的通知》（津人社局发〔2017〕58号）规定，

集成电路专业各层级职称证书，在京津冀三省市范围内均可互认。

八、组织保障

（一）提高站位，明确分工。设立集成电路职称专业，是深化职称制度改革、激发企业和人才创新活力、支持产业人才创新创业联盟发展、助推我市高质量发展的重要举措。市人社局、市工业和信息化局按照各自职责，做好政策宣传、工作部署、过程管理、违规处置等工作。各职称工作部门、产业人才创新创业联盟和用人单位要密切合作，切实做好政策推介、申报审核、评审公示等工作，确保职称评审工作顺利实施。

（二）稳妥推进，营造氛围。各职称工作部门、产业人才创新创业联盟和用人单位要充分认识新增专业职称评审的复杂性，周密部署，精心安排，严格程序，稳慎实施。要及时总结发现典型案例，宣传集成电路人才在天津成长的故事，营造集成电路人才良好的发展生态。

（三）强化监管，确保质量。市人社局、市工业和信息化局在门户网站公布举报电话，接受举报投诉，对举报线索进行核查；对评审机构的评审全过程进行监督抽查，对评审中发现的违法违规问题按规定予以严肃处理。对个人违规并查实的，按程序取消其职称资格；对管理不规范的用人单位，由业务主管部门责令其整改。

本通知自2021年5月1日起施行，有效期至2024年4月30日。

附件：天津市工程技术系列集成电路专业职称评价标准

市人社局   市工业和信息化局

2021年3月31日

（此件主动公开）

附件：天津市工程技术系列集成电路专业职称评价标准    

一、基本条件

（一）政治素质好，遵守中华人民共和国宪法和法律法规。

（二）具有良好的职业道德、敬业精神，作风端正。

（三）热爱本职工作，身心健康，能认真履行岗位职责。

（四）按国家和我市规定，符合有关年度考核和继续教育相关要求。

二、技术员资格条件

在符合基本条件的基础上，技术员还应符合以下条件：

（一）学历、资历要求。应符合下列条件之一：

1．具备大学专科、中等职业学校毕业学历，在集成电路专业岗位工作满1年，并经所在单位业绩考核合格。技工院校毕业生可按有关规定申报，其中，中级工班毕业生在职称评价时视同为中专学历，高级工班毕业生视同为大专学历，下同。

2．具备中级职业资格或职业技能等级，从事集成电路专业相关工作满2年。

（二）专业能力、业绩成果要求。应熟悉集成电路专业的基础理论知识和专业技术知识，具有完成一般技术辅助性工作的实际能力，能够承担岗位职责任务。

三、助理工程师资格条件

在符合基本条件的基础上，助理工程师还应符合以下条件：

（一）学历、资历要求。应符合下列条件之一：

1．具备博士、硕士学位或第二学士学位，从事集成电路专业相关工作。

2．具备大学本科学历或学士学位，在集成电路专业岗位工作满1年；或具备大学专科学历，在集成电路专业岗位工作满3年；或具备中等职业学校毕业学历，在集成电路专业岗位工作满5年，并经所在单位业绩考核合格。技工院校毕业生可按前文规定申报，其中，预备技师（技师）班毕业生在职称评价时视同为本科学历，下同。

3．具备高级工职业资格或职业技能等级，从事集成电路专业相关工作满2年。

（二）专业能力、业绩成果要求。应掌握集成电路专业的基础理论和专业技术知识，具有独立完成一般性技术工作的实际能力，能够处理一般性技术问题，指导技术员开展工作，较好的完成岗位职责任务。

四、工程师资格条件

在符合基本条件的基础上，工程师还应符合以下条件：

（一）学历、资历要求。应符合下列条件之一：

1．具备博士学位，从事集成电路专业相关工作。

2．具备硕士学位或第二学士学位，取得助理工程师资格并担任助理工程师职务满2年。

3．具备大学本科学历或学士学位，或具备大学专科学历，取得助理工程师资格并担任助理工程师职务满4年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

4．具备技师职业资格或职业技能等级，从事集成电路专业相关工作满3年。

（二）专业能力要求。应熟练掌握并能够运用集成电路专业的基础理论和专业技术知识，熟悉国内外专业现状和发展趋势，能够指导助理工程师工作。此外，在担任助理工程师期间还应符合下列条件之一：

1．有独立承担较复杂项目的研究、设计工作能力，能解决本专业范围内比较复杂的技术问题。

2．有一定从事工程技术研究、设计工作的实践经验，能吸收、采用国内外先进技术，在提高研究、设计水平和经济效益方面取得一定成绩。

3．基本掌握现代生产管理和技术管理的方法，有独立解决比较复杂技术问题的能力。

4．有一定从事生产技术管理的实践经验，取得有实用价值的技术成果和经济效益。

（三）业绩成果要求。担任助理工程师职务后，应具备下列3项及以上条件：

1．参与完成1项及以上省部级集成电路专业相关的研究课题，并结项。

2．参与国家、行业、省部级集成电路专业领域发展规划、战略决策等相关政策、标准、规范、法律、法规的制定，并颁布实施。

3．作为主要完成人（前5名）完成本单位集成电路专业领域工程项目的规划和实施工作，制定本单位集成电路专业管理标准、战略、发展规划、管理制度；或作为子项目专业负责人，在项目管理、科研开发、生产经营、技术转让与引进等工作中成效明显。

4．独立完成本单位集成电路专业领域项目、产品或服务的设计开发，为单位取得较好的经济效益。

5．作为第一、二作者或通讯作者，在学术期刊上公开发表集成电路专业论文或调研报告1篇及以上；作为第一、二作者，在省部级专业学术会议上发表集成电路专业论文1篇及以上；作为第一作者，撰写集成电路专业的单位内部研究报告1篇及以上，要求引用数据齐全、结论正确，并经2名高级工程师评议证明，具有一定实用价值。

6．参与完成集成电路专业领域已授权的发明专利或实用新型专利1项及以上。

7．作为项目参与人，完成相关专业领域国家级专项1项及以上，并结项。

8．在中国500强企业，参与完成相关专业领域专项1项及以上，并结项。

（四）破格条件。不满足本条第（一）款学历、资历要求，但担任助理工程师职务后具备下列条件之一的，可破格申报：

1．凭集成电路专业领域相关专业项目，获区局级科学技术奖励三等奖及以上的主要完成人（前5名）。

2．获得市级技术能手称号等荣誉。

3．参与信息技术创新应用（以下简称“信创”）领域省部级自主创新项目取得明显成果（前5名），或满足本条第（三）款业绩成果要求的4项以上，并经2名相关专业高级工程师推荐及业务主管部门同意。

五、高级工程师资格条件

在符合基本条件基础上，高级工程师还应符合以下条件：

（一）学历、资历要求。应符合下列条件之一：

1．具备博士学位，从事集成电路专业相关工作满2年。

2．具备硕士学位、第二学士学位、大学本科学历或学士学位，取得工程师资格并担任工程师职务满5年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

3．具备高级技师职业资格或职业技能等级，从事集成电路专业相关工作满4年。

（二）专业能力要求。应系统掌握集成电路专业的基础理论和专业技术知识，掌握国内外专业现状和发展趋势，具有发现、分析和解决实际问题的能力，能够指导、培养中青年学术技术骨干、工程师或研究生的工作学习。此外，担任工程师职务期间还应符合下列条件之一：

1．能够承担或组织重要、复杂、关键工程项目的设计，针对关键技术提出试验要求和实施方案，并能够解决设计中的技术难题。

2．能够承担或组织重要、复杂产品或工程项目的实施，并能够解决生产过程中的技术难题。

3．能够承担或组织重要、复杂、关键的研究课题，提出或审定关键技术发展规划及分析论证报告。

4．能够开展引进国外先进技术产品的调研，并提出可行性分析论证报告，能够对产品消化、吸收、改进、创新、推广。

（三）业绩成果要求。担任工程师职务后，应具备下列3项及以上条件：

1．凭集成电路专业项目，获省部级科技奖励三等奖及以上，具有个人证书。

2．主持或参与完成2项及以上省部级集成电路专业研究课题，并结项。

3．参与国家、行业、省部级集成电路专业中长期发展规划、重大战略决策相关政策、标准、规范、法律、法规的制定，并颁布实施。

4．负责制定本单位集成电路管理标准、战略、发展规划、管理制度；或作为集成电路专业负责人，在项目管理、科研开发、生产经营、技术转让与引进等工作中成效显著。

5．主持完成2项及以上本单位集成电路专业重点项目，为单位取得较高的经济效益。

6．作为主要作者编写并发表集成电路专业著作或译著10万字及以上；作为第一、二作者或通讯作者，在学术期刊上公开发表集成电路专业论文或调研报告2篇及以上；或作为第一、二作者，在省部级专业学术会议上发表集成电路专业论文2篇及以上；或作为第一作者，撰写集成电路专业的单位内部研究报告2篇及以上，要求引用数据齐全、结论正确，并经2名正高级工程师评议证明，具有一定实用价值。

7．作为主要完成人（前5名），参与完成集成电路专业领域已授权的发明专利或实用新型专利2项及以上。

8．作为项目参与人，完成相关专业领域国家重大专项1项及以上，并结项。

9．在世界500强企业，参与完成相关专业领域重大专项1项及以上，并结项。

（四）破格条件。不满足本条第（一）款学历、资历要求，但担任工程师职务后具备下列条件之一的，可破格申报：

1．凭集成电路专业相关项目，获省部级科技奖励三等奖及以上的主要完成人（前5名），或获省部级工程技术行业类奖项三等奖及以上（额定人员）。

2．获得国家专利金、银奖的主要完成人（前5名）。

3．获得中华技能大奖、全国技术能手称号等荣誉。

4．参与信创领域国家级自主创新项目取得显著成果（前5名），或满足本条第（三）款业绩成果要求的4项以上，并经2名相关专业正高级工程师推荐及业务主管部门同意。

六、正高级工程师资格条件

在符合基本条件基础上，正高级工程师还应符合以下条件：

（一）学历、资历要求。一般应具备大学本科以上学历或学士以上学位，担任高级工程师职务满5年。技工院校毕业生可按前文规定申报。

（二）专业能力要求。具有全面系统的专业理论和实践功底，学术科研水平高或者科学实践能力强，全面掌握集成电路专业领域的国内外前沿发展动态，具有引领科技发展前沿水平的能力，能够推动集成电路专业发展，能够指导、培养高级工程师或研究生工作学习。此外，在担任高级工程师期间，还应符合下列条件之一：

1．能够牵头申请获得并主持完成省部级以上重点工程项目、攻关项目、技术创新项目等。

2．能够主持完成业内认可的省部级高水平课题研究。

3．能够运用新理论、新技术、新方法、新工艺解决技术难题；在科技成果转化过程中具有开创性运用工程技术的能力。

（三）业绩成果要求。担任高级工程师职务后，应具备下列3项及以上条件：

1．作为工程技术项目主持人或产品负责人曾创造性完成至少1项，或作为主要完成人（前5名）完成省部级及以上重点工程项目、科技攻关项目、技术创新项目2项及以上，其技术水平处于国内领先地位并在解决关键性技术问题中起到主要作用，项目或产品已被省部级以上相应的主管部门鉴定或验收。

2．在技术上有重大发明或重大革新，解决过工程技术领域的技术难题，开发出新产品、新材料、新设备、新工艺，并已投入生产，其成果获国家级奖1项或省部级三等及以上奖2项及以上（具有个人证书或前5名）；或作为第一完成人，其成果的可比性技术经济指标处于国内领先水平。

3．作为相关专业的主要技术负责人曾创造性完成1项及以上，或作为主要完成人完成省部级及以上课题研究项目2项及以上，并取得显著效益。承担的重点项目技术报告，经同行专家评议具有国内领先水平，技术论证有深度，调研、设计、测试数据齐全、准确。

4．作为相关专业的主要技术负责人，在技术改造、标准计量、科技信息等研究、开发、推广、应用工作中，取得省部级及以上科技成果，其技术综合指标达到国际先进水平或国内领先水平，并通过省部级以上鉴定；或作为主要技术负责人主持的技术项目取得显著效益，并通过省部级以上鉴定。

5．作为主要撰写人，完成国内外公开出版的相关专业学术、技术专著（单部著作个人承担20万字及以上）；或作为第一作者或通讯作者，在行业内公认的高水平期刊上发表相关专业的学术、技术论文2篇及以上。

6．作为第一起草人，主持制定过省部级及以上行业技术标准或技术规范，并颁布实施。

7．作为第一发明人，主持完成相关专业已授权的发明专利1项及以上，具有显著经济和社会效益。

8．作为项目负责人，主持完成相关专业领域国家重大专项1项及以上，并结项。

9．在世界500强企业，主持完成相关专业领域重大专项1项及以上，并结项。

（四）破格条件。不满足本条第（一）款学历、资历要求，但担任高级工程师职务后具备下列条件之一的，可破格申报：

1．凭集成电路专业相关项目，获国家级科技奖励（具有个人证书）。

2．主持信创领域国家级自主创新项目取得重大成果，或满足本条第（三）款业绩成果要求的4项及以上，并经具有相关专业5年正高级工程师资历的2名资深专业人士推荐及业务主管部门同意。

七、有关说明

（一）集成电路相关专业范围

集成电路职称专业范围包括集成电路设计、生产、封装、测试、装备、材料等6大类：

1．集成电路设计：指以可制造集成电路版图为目标的从功能描述到电路版图的工程实现过程，一般包括集成电路电子器件及互连线模型建立、集成电路逻辑设计，诸如数字、模拟和射频等集成电路物理设计，以及支撑集成电路设计的电子设计自动化等内容。

2．集成电路生产：指电子电路在半导体晶圆表面上的微型化。集成电路生产制造工艺包括光刻（Litho）、干法刻蚀（Etch）、离子注入（IMP）、清洗及湿法刻蚀（WET）、高温炉管扩散及成膜（Furnace）、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、化学机械抛光（CMP）等工艺步骤。使用单晶硅晶圆（或III-V族半导体材料）作为基层，利用各种半导体制造工艺，通过整合成工艺流程，把电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路制造技术节点以能达到的最小线宽进行分类，例如0.35微米、0.18微米，90纳米，14纳米，7纳米，5纳米等。

3．集成电路封装：包括倒装芯片（FC）、硅通孔（TSV）、嵌入式封装（ED）、扇入（Fan-in）/扇出（Fan-out）型晶圆级封装、系统级封装（SiP），多芯片封装（multi-die packaging），立体封装(2.5D & 3D IC Packaging)、微机电与感测元件封装(MEMS and Sensor Packaging)，嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）封装技术等。

4．集成电路测试：指利用测试设备测试实证芯片是否达到设计要求指标，是否满足实际使用环境要求，与其它产商产品相比是否具有性能和成本方面的竞争力。测试主要包括：性能测试、可靠性测试、产品良率测试等。测试方式：wafer上的裸片测试、封装后测试等。

5．集成电路装备

（1）8-12英寸集成电路硅片加工设备：单晶炉、滚磨设备、切片设备、倒角设备、研磨设备等。

（2）晶圆制造设备：光刻设备、化学机械抛光设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备等。

（3）封测设备：磨片、划片、装片、键合、塑封、晶圆测试（CP）和芯片测试（FT）等各个工序上所使用的各类复杂设备。例如，切割减薄设备、引线机、键合机，测试环节中的探针台、测试机、分选机、理想信号发生设备、信号分析设备、电压源电流源基准源等设备。 

6．集成电路材料

（1）器件沟道材料：11N高纯硅，III-V族半导体（(In,Ga)As, (In,Ga)P， (In,Ga)N）、碳纳米管、石墨烯、黑磷、过渡金属硫属化合物MX2（M=Mo、W、V、Ti、Ta等，X=S、Se、Te）、铁电半导体（In2Se3）等。

（2）器件栅介质材料：HfO2、HfZrO2、Al2O3、Y2O3、范德瓦尔斯材料BN、MX3（M=Sc、Y、Bi等，X=Cl、Br、I）等。

（3）电极材料：TiN, TaN。

（4）大功率器件材料（分立器件）：Si、SiC、GaN、Ga2O3等。

（5）封装材料：导电，Cu、Al及其合金Sn-Pb、Sn-Ag、 Sr-Ag-Cu等；陶瓷衬底，Al2O3、 AlN、Si3N4等。芯片封装材料包括封装基板、引线框架、树脂、键合丝、锡球以及电镀液、电子特种气体等。

（二）中国500强企业、世界500强企业

中国500强企业是由中国企业联合会、中国企业家协会按国际惯例组织评选、发布的中国企业排行榜，可参照《中国企业联合会官网》500强企业名单或《财富》杂志各年度中国500强排行榜。

世界500强企业是由《财富》杂志发布的世界企业排行榜，可参照《财富》杂志各年度世界500强排行榜。

（三）主持或项目负责人，是指该项目主持人或负责人，位列项目成员第一。

（四）公开出版，是指有国内标准书号（ISBN号），或国内统一刊号（CN号，类别代码F）或国际统一刊号（ISSN号）的出版物。

（五）高水平期刊，包括北京大学图书馆“中文核心期刊”、南京大学“中文社会科学引文索引（CSSCI）来源期刊”、中国社会科学院文献信息中心“中国人文社会科学核心期刊”。

（六）专业技术工作年限，是指从事本专业或相近专业工作的累计有效年限，工作年限计算截止至参评当年12月31日。

（七）凡冠有“以上”的，均含本级或本数量。